РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ КОРРЕКЦИИ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ


         

приведенные ниже соотношения для расчета


В соответствии с [1, 2, 3], приведенные ниже соотношения для расчета усилительных каскадов основаны на использовании эквивалентной схемы замещения транзистора, приведенной на рис. 1.1, либо на использовании его однонаправленной модели, приведенной на рис. 1.2.



Рис. 1.1. Эквивалентная схема Джиаколетто



Рис. 1.2. Однонаправленная модель

Значения элементов схемы Джиаколетто могут быть рассчитаны по паспортным данным транзистора по следующим формулам [1]:

;

;

;

;

;

;

,

где   
- емкость коллекторного перехода;

         
 - постоянная времени цепи обратной связи;

 - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

 - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

 - ток эмиттера в рабочей точке в миллиамперах;

=3 - для планарных кремниевых транзисторов;

=4 - для остальных транзисторов.

В справочной литературе значения
 и
 часто приводятся измеренными при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер
. Поэтому при расчетах
 значение
 следует пересчитать по формуле [1]

,

где   
- напряжение
, при котором производилось измерение
;

 - напряжение
, при котором производилось измерение
.

Поскольку
 и
 оказываются много меньше проводимости нагрузки усилительных каскадов, в расчетах они обычно не учитываются.

Значения элементов схемы замещения, приведенной на рис. 1.2, могут быть рассчитаны по следующим формулам [3, 4]:

;

;

;

,

где   
,
 - индуктивности выводов базы и эмиттера;

 - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер;


Содержание  Назад  Вперед