Усилитель на транзисторах мощностью 1,5 Вт
Усилитель на транзисторах мощностью 1,5 Вт - часть 4
Устанавливают его в процессе налаживания усилителя.
Для уменьшения зависимости тока покоя оконечных транзисторов от температуры и для предотвращения теплового пробоя необходимо, чтобы смещение в базовой цепи транзисторов Т6, Т7 уменьшалось с повышением температуры. В рассматриваемом усилителе это достигается включением между базами указанных транзисторов терморезистора R27 с отрицательным коэффициентом сопротивления. Правильный выбор напряжения смещения позволяет также уменьшить нелинейные искажения типа «ступенька», характерные для двухтактных усилителей. Повышению термостабилизации оконечного каскада способствует также наличие в базовых и эмиттерных цепях резисторов R28, R29, R31 и R32. Для уменьшения нелинейных искажений и повышения стабильности работы каскадов на транзисторах ТЗ — Т9 они охвачены отрицательной обратной связью. Напряжение этой связи с выхода УНЧ (громкоговорителя Гр1) через подстроечный резистор R19 подается в цепь эмиттера ТЗ (на резистор R18), а через конденсатор СИ — в цепь базы транзистора Т4.
Выпрямитель для питания УНЧ выполнен по типовой двухполупериодной схеме на диодах Д2, ДЗ с емкостным фильтром (конденсатор СП) на выходе.
Усилитель смонтирован на печатной плате из фольгированного гетинакса толщиной 3 мм. Размеры платы не указываются, так как они зависят от габаритов примененных деталей. На рис. 2 показаны рисунок печатной платы и размещение на ней детелей. Транзисторы выходного каскада (Т8, Т9) установлены на литых ребоистых радиаторах. На рис. 3 приведена конструкция самодельного радиатора, который можно изготовить из дюралюминия.
Наиболее целесообразно в усилителе использовать резисторы УЛ.М-0,125 или МЛТ-0,125, МЛТ-0,25; переменные резисторы СПЗ-12в типа «В» (R2), СПЗ-12в типа «A» (R9, R13), СПз-16 (R23, R19); конденсатры ЭМ, К50-3, БМ-2 и другие. Для уменьшения нелинейных искажений пары транзисторов Т6, Т7 и Т8. Т9 желательно подобрать с идентичными параметрами. В усилителе можно также применить транзисторы КТ315Е (Т1); МП40А (Т2 — Т4); МП25, МП25А (Т5, Т6); МП35 — МП38 (77); П201 — П203 (Т8, Т9).
