Трансформаторные усилители на транзисторах мощностью 1 и 10 Вт
Трансформаторные усилители на транзисторах мощностью 1 и 10 Вт - часть 4
На рис. 2 приведена схема усилителя, который можно использовать для радиофикации массовых спортивных мероприятий в стационарных и полевых условиях, применять на полевом стане, в пионерском лагере, на радиоузле и т. д. Выходная мощность усилителя вполне достаточна для нормальной работы 40 трансляционных громкоговорителей мощностью 0,25 Вт или одного громкоговорителя Р-10.
Питание усилителя в полевых условиях можно производить от автомобильного аккумулятора напряжением 12 В. В стационарных условиях питание усилителя осуществляется от сети переменного тока с помощью специального выпрямителя.
Усилитель может работать от динамического микрофона «Мк», звукоснимателя «Зс» и других источников низкочастотных сигналов. Выходная мощность усилителя — 10 Вт при коэффициенте нелинейных искажений не более 6%, Полоса пропускания усилителя — 70 — 7000 Гц. Кратко остановимся на схеме усилителя, который содержит два каскада предварительного усиления, предоконечный и выходной каскады.
Первый каскад усиления собран на транзисторе 77. Напряжение с микрофона или звукоснимателя, подаваемое на вход усилителя, поступает через регулятор громкости R1 и разделительный конденсатор С1 на базу транзистора 77. Нагрузкой первого каскада усиления является резистор R4. Усиленное первым каскадом-напряжение выделяется на резисторе R4 и через конденсатор С4 подается на вход второго каскада. Второй каскад собран на транзисторе Т2. Нагрузкой его является первичная обмотка согласующего трансформатора Tpl. Предоконечный каскад (ТЗ) и выходной (Т4, Т5) мало чем отличаются от аналогичных каскадов в усилителе, рассмотренном выше. Предоконечный каскад связан с предварительным с помощью вторичной обмотки трансформатора Tpl.
Температурная стабилизация режимов работы транзисторов 77. Т2, ТЗ, Т4, То и необходимое смещение на их базы обеспечиваются резисторами R2, R3, R5, R6 — RH, R10 — R12 и R14 — R16.
В усилителе можно использовать транзисторы МП41А, МП42Б (77, Т2) с Вст не менее 50 — 60; П201АЭ, П213Б (ТЗ) и П4БЭ, П4ДЭ, П216В (Т4, Т5) с Вст не менее 30 — 40.
